SanDisk联手东芝开发3D内存取代NAND技术

闪存芯片厂商SanDisk在周二提交给美国证券交易委员会的一份文件中披露，它已经与东芝展开合作，联合开发和生产可重复写入的3D内存。

SanDisk在声明中称，两家公司都将拿出与3D内存芯片开发和生产有关的技术并交叉授权。东芝将向SanDisk支付一定的授权费用。双方最终可能合 作研发出一种新型的内存技术，取代目前的NAND闪存技术。SanDisk目前的主要产品就是NAND闪存芯片，这种内存芯片可用来储存照片、歌曲和其他 数据，主要应用于iPod、iPhone、数码相机和其他设备。

3D内存芯片的概念早就出现过。这种技术是厂商们在多年前为了降低内存芯片的成本和延长信息储存的时间而开发的，据说这种技术可以将信息储存100多年，远远大于NAND闪存芯片技术的信息储存时间。

几年之前，Matrix Semiconductor将内存阵列从横向排列改为纵向排列，从而开发出一种3D内存芯片，据说可以降低成本。后来，它与中国台湾的台积电联合生产这类芯片，但是从未获得市场的重视。

SanDisk 在2005年收购了Matrix。SanDisk此次携手东芝联合开发的3D 内存芯片与Matrix之前开发的3D内存芯片有一个很大的不同之处，那就是Matrix之前开发的3D内存芯片是不可重复写入的。那些芯片一旦储存了某 些数据，就会永远保留下来。SanDisk与东芝希望开发出可重复使用的3D内存芯片。

几年之前，东芝开发过一款名为BiCS的可重复写入的3D闪存芯片，其中的内存阵列也是纵向排列的。 东芝已经研制出这类芯片的样品，但是尚未正式投产。

SanDisk和东芝打算将双方的知识产权和技术资源结合在一起，进一步开发3D内存芯片和生产技术。 双方公司没有透露整个联合开发计划的成本以及相关的授权费用。

但是3D内存芯片应该不会很快出现在市场上。Forward Insights的研究总裁Gregory Wong认为，SanDisk和东芝可能要花3到4年的时间才能开发出第一款可以与NAND闪存芯片竞争的3D内存芯片产品。

Wong表示，3D内存芯片面临的一个严重问题是，它很难投入大批量生产。

可 重复写入的3D内存芯片由多层纵向排列的二极管阵列组成，目前只有采用四层堆栈式内存单元的芯片可以利用先进技术批量生产。Matrix在2003年展出 了一款八级堆栈式内存单元组成的芯片，但是那块芯片样品是用250纳米制程工艺生产出来的，而四级堆栈式内存单元组成的芯片使用的是80纳米制程生产工 艺。

Wong表示:“如何用先进技术生产八级堆栈式内存单元组成的芯片是它们面临的另一个难题。”