日本Genusion已经证实了该公司NOR型闪存“B4-Flash”可进行100MB/秒写入的高可靠性。除确认可擦写100万次外,还确认了可进行20年的连续读取以及150℃下10年的数据保存。“解决了09年投产所面临的课题之一”(该公司)。公司计划在法国Opio举行的“23rd IEEE Nonvolatile Semiconductor Memory Workshop(NVSMW)/3rd International Conference on Memory Technology and Design(ICMTD)”上发表此次的试验成果。
与原来的NOR型闪存相比,B4-Flash能高速写入数据。面向的用途为手机、车载设备等要求高可靠性的程序和数据存储。Genusion在“2006 VLSI Symposium on Technology”(06年)上发表了该闪存的基本架构,在“22nd NVSMW”(07年)上发表了以100MB/秒工作的4Mbit芯片。小熊在线www.beareyes.com.cn
日本Genusion在此次“NVSMW/ICMTD”会议上,还将发表采用标准CMOS工艺、可混载的非易失性内存“eCFlash”。这是一款采用0.25μm工艺制造的2KB评测芯片,已确认可进行10万次擦写以及150℃下20年数据保存。通过采用电荷捕获(Charge Trap)型单元和差动感应锁存(Sense latch)电路技术,与原来的OTP(一次编程)/ MTP(多次编程)闪存相比,提高了擦写次数。小熊在线www.beareyes.com.cn
小熊点评:
这样的速度,串口标准都快跟不上了。也就三四年,估计传统硬盘就要退二线了,和磁带机一样成为备份的设备,主流设备就要让位给闪存存储。新一轮的存储革命即将来临!