爱上“毒药”蓝宝3870真空腔均热解析

　　时光回到现在的DX10显卡身上。进入2007年以来，65nm已经成为主流的工艺制程，更先进的55nm、45nm也在开始起步。三雄中的Intel 45nm的移动版处理器今年上半年已经开始出货，AMD图形显卡产品线也由65nm全线过渡到55nm阶段，只有NVIDIA稍显步履蹒跚，Geforce 9系列GPU尚停留在65nm制程上。

　　55nm、45nm对芯片的影响是非常重要的，它可以大大降低芯片能耗，同时芯片中可集成更多的晶体管。以Intel Penryn为例，45nm芯片的密度是65nm芯片的两倍(即相同面积集成两倍的晶体管数量)。采用45纳米生产工艺后，单位面积上放置两倍数量的晶体管开关速度提高了20%，同时功耗降低三成，但是，相对单位体积散发出来的热量也以等比级数提高。

　　新一代的工艺势必将给显卡GPU芯片散热带来了严峻的挑战，在NVIDIA、AMD下一代45nm GPU登场之前，如何在单位时间内将等比级的热量从越来越小的GPU芯片表面散发出去，加快散热介质的热传导效率同时降低散热介质的热阻值，就成为整个业界持续研究的方向。这次，蓝宝再次先人一步，率先发布了HD3870 TOXIC显卡，带着Vapor-X真空腔均热板技术出现在广大玩家面前。

蓝宝HD3870 ATOMIC

蓝宝HD3870 TOXIC

　　与HD3870 ATOMIC相比，TOXIC版本无论在PCB用料、显卡包装的豪华程度上都有所削减，但保留了共同的散热技术——Vapor-X真空腔均热板技术。