什么是UTT颗粒:

UTT（Untested，未经测试的DRAM）颗粒在整个DRAM产业发展史中，可以说是从未缺席过，厂商在其生产DRAM颗粒的过程中，只要继续投片下去，便难免会有UTT颗粒出现，而这样的情况是否有机会持续下去，尤其是当DRAM产业进入到DDRII世代，甚至是DDRIII时代之际，UTT颗粒能否再生存下去，也成为近来DRAM业界热烈讨论的话题之一，除了技术问题仍有待克服外，DRAM厂下游客户是否做好准备也是一大挑战。


UTT颗粒至今仍是DRAM现货市场宠儿:

　DRAM产业发展至今已有数十年的历史，而在这段时间当中，只见全球DRAM厂家数越来越少，由20、30年前的20多家，到如今只要用手指头便可轻易算出。虽然DRAM厂数目锐减，但可以确定的是只要厂商仍持续营运，绝对避免不了UTT颗粒，各DRAM厂在UTT颗粒上唯一的差别，仅在量产数量的多寡。

　目前在全球DRAM大厂中，三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）及美光（Micron），均因陆续将其DRAM产能转做NAND型闪存（Flash）及CMOS感测组件（CMOS image Sensor；CIS）IC或其它特殊型内存，而不断降低UTT颗粒产出。至于英飞凌（Infineon）、南科（2408）虽然抬面上不断宣称没有UTT颗粒产出，不过，事实上却是换汤不换药；例如南科将UTT颗粒改用elixir或Super elixi等品牌卖至现货市场，英飞凌则采用Aeneon品牌销售到现货市场，这2大DRAM厂仍是不愿意放弃过去采用UTT颗粒为主的现货市场客户。

　而如今还是坚守在UTT岗位的便以力晶（5346）为首，总经理谢再居日前便于公开场合中表示，为了继续服务长久以来与力晶建立良好关系的现货市场客户，力晶仍会持续提供DRAM颗粒给这些忠实客户，力晶也因此将其大量投产DDRII颗粒的时间顺延到第三季末。

　由DRAM厂种种动作来看，不难发现UTT颗粒仍是DRAM现货市场的最爱，而DRAM模块厂亦多认为，一定要发展自有品牌的DRAM模块才能在市场上保有生存空间，若采用DRAM原厂的模块的话，模块厂恐将沦为DRAM厂在现货市场的「代理商」。

DDRII必须采用BGA封装:

　过去DDR颗粒在封装上基于成本考量，厂商绝大部份采用传统的TSOP（Thin Small Outline Package）封装方式，虽然部份厂商也会采用BGA（球状门阵列）封装，但对于采用UTT颗粒为主的现货市场客户而言，接受度相对较低，原因在于现货市场消费者大多只在乎价格的高低，对于采用BGA封装后，效能或散热上的提升则较不注重。

　不过进入DDRII世代后，由于在速度及散热上的需求，经过DRAM厂、OEM计算机大厂及微处理器大厂英特尔（Intel）讨论后，认为DDRII必须改采BGA封装方式，才能让DDRII颗粒充分显现出其应有的效能，不至于产生DRAM产品无法运转的问题。因此，多数DRAM厂均将DDRII封装改采Micro BGA或Window BGA（主要差别在于封装成本的高低），但无论何种BGA封装方式，与前几代DRAM颗粒大量采用的TSOP相较，仍是贵上数倍。

KINGMAX DDRII
　

为刺激现货市场需求　部份DRAM厂DDRII拟采TSOP封装:

　JEDEC（美国电子工程设计发展联合协会）认为DDRII封装方式需采用BGA封装，而TSOP封装方式就目前的技术层面来看，理论上是行不通的，原因在于DDRII若要显现出与DDR不同的效能，则必须将速度拉高到DDRII533或DDRII667，而一旦采用TSOP封装方式，DDRII颗粒的速度恐怕仅能达DDRII400、甚至更低。

　不过对于一些DRAM现货市场的消费者而言，其最在意的除了价格之外还是价格，鲜少有人会去计较买到的是DDRII533、DDRII400或DDRII667规格，也正因为DDRII除了测试成本较DDR贵外，BGA封装也是造成DDRII颗粒价格较贵的主因之一。为了顾及到广大的DRAM现货市场消费族群，目前已有部份DRAM厂开始将脑筋动到DDRII封装方式上，希望能一改DDRII的BGA封装方式，试试能否改采TSOP封装方式做为替代方案。

　不过，由于过去国际DRAM大厂已较少着墨在DRAM现货市场，也就是所谓的UTT颗粒市场，因此，计划将DDRII颗粒改采TSOP封装方式的，以台湾DRAM业者最为积极，原因在于一旦DDRII颗粒未来可采用TSOP封装方式后，DDRII颗粒制造成本势必将有相当程度的降幅，可望进一步让DDRII于现货市场的接受度渐入佳境。

DDRII将是UTT市场的坟墓？

　正因为部份DRAM厂及模块厂，希望能够将UTT市场的荣景延续下去，因此期待能采用TSOP封装方式来制造DDRII，让DDRII也得以在未来出现UTT模式；但事实上，就现阶段封装技术来看，TSOP封装是否可行仍然还是未知数，一旦未能采用TSOP封装方式来封包DDRII，就等于正式宣判DDRII没办法进入UTT市场。

　再者，DDRII若真的无法采TSOP封装方式，还是必须采用BGA封装的话，对于向来习惯采用UTT的DRAM模块厂而言，将会是一大挑战；原因在于DRAM模块厂目前习惯采用的技术，大多还是以TSOP封装为主，毕竟对多数DRAM模块厂而言，过去延续至今的主流规格DDR颗粒，均采用TSOP封装，因此，在后续维修上也同样习惯于TSOP封装方式的DRAM颗粒。

　也正因为TSOP封装方式较BGA简单且又熟悉，对于向来习惯采用UTT颗粒的DRAM现货市场客户而言，若有终端消费者前来维修时，拿的是用TSOP封装的DRAM模块，则仍有相当充足的经验及机器尚可为其服务；因此，若将来UTT的DDRII颗粒开始采用BGA封装方式，则对于现货市场的DRAM模块厂来说将会是一大考验。

　原因在于一来这些DRAM模块制造商，从未有制造或维修采BGA封装方式的DRAM模块的经验，更重要的是，一旦终端市场消费者回修时，DRAM模块厂也无人才或机器设备可为其解决问题，会造成这样的结果，主要便是DRAM厂的现货市场客户，过去未将大量资金投入制造DDRII模块机器设备及人力，因此一旦UTT种类的DDRII颗粒开始采用，DRAM模块厂也将会束手无策。

　因此，就此情况来推断，DDRII恐将成为UTT市场的坟墓，换言之，DDRII市场未来可能仅由DRAM厂来控制，DRAM模块厂短时间内应无法大量采用UTT种类的DDRII颗粒，DDRII恐怕将会严重影响UTT市场未来前景

小熊在线—geese 　北京 2005年12月21日19:53