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Intel明年P4芯片采用0.09微米制程
【业界动态】
2002年03月18日10:12
【文章简介】
Intel明年P4芯片采用0.09微米制程 (511 字) |
Intel表示,该公司已可通过新制程制造出含有3.3亿颗晶体管的内存芯片。 Intel是在德国汉诺威CeBIT 2000电子展上展示最新芯片技术的。该公司表示,目前还属实验性质的SRAM(静态随机存取内存)芯片的体积大约为109平方厘米,包含5200万位数据,是当今密度最高的SRAM芯片。更重要的是,该芯片显示,Intel以0.09微米制程可轻松符合摩尔定律。根据摩尔定律,每颗芯片上的晶体管数目约18-24个月便会增加一倍,因为工程师总会找出方法缩小晶体管体积。 目前最快的芯片都是以0.13微米制程制造,将尺寸缩至0.09微米后,Intel可将处理器体积减半,或者在芯片上加入更多功能,因为它可在相同体积内放入将近多一倍的晶体管。0.13微米芯片在2001年中成为商业主流,而0.09微米芯片则可望在明年夏天上市。通常概念验证(proof-of-concept)芯片会比真正商业量产产品早一年出现。 高速缓存容量是最近几年业界关注的焦点。Intel下一款服务器级处理器McKinly体积就高达464平方厘米,堪称近年来最大的芯片,个中原因就是该芯片占了三个高速缓存空间,总容量达3MB;而下一款Madison将有6MB高速缓存容量。 Intel的0.09微米制程将会用在下一版代号为Prescott的Pentium 4处理器上,但其它产品在线的技术则会稍微更动。
【作者:业界动态
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